据日经亚洲等外媒报道，根据台积电最新动态及行业权威信息股票配资系统，其 2nm 工艺在设备选型上已全面排除中国大陆制造的半导体设备。以下是具体分析：
一、政策驱动下的设备替换
美国拟议的《中国设备法案》（China EQUIP Act）明确禁止接受联邦资金的芯片制造商使用中国设备。台积电为确保亚利桑那州工厂的 1650 亿美元投资顺利获得美国补贴，必须严格遵守这一政策。为此，其 2nm 生产线已全面停用中微公司（AMEC）、Mattson Technology（屹唐股份子公司）等中国设备供应商的工具，尤其是在蚀刻、薄膜沉积等关键环节。这一调整从 2025 年 4 月 2nm 订单启动时即开始执行，高雄和新竹工厂的量产产线已完成设备替换。
二、技术迭代与供应链重构
2nm 工艺采用的全环绕栅极（GAA）晶体管技术对设备精度要求极高，中国大陆设备尚未达到这一水平。以蚀刻环节为例，中微公司的 3nm 刻蚀机虽已通过台积电验证，但 2nm 工艺需要更先进的原子层蚀刻（ALE）技术，目前该领域仍由应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）等美企主导。台积电在 2nm 量产前已与这些供应商签订独家协议，确保设备供应安全。
三、产能布局的全球协同
台积电 2nm 产能分布呈现 “台湾地区 + 美国” 双中心模式：
台湾新竹 / 高雄工厂：2025 年下半年量产，月产能 6 万片晶圆，设备全部采用美日欧供应商（如 ASML 的 EUV 光刻机、TEL的沉积设备）。
美国亚利桑那工厂：2026 年投产，产能占比 30%，同样使用非中国设备，并配套建设先进封装厂以实现 “晶圆 - 封装” 全流程本土化。
这种布局既规避了地缘政治风险，又能利用美国的能源补贴降低 2nm 工艺的高耗能负担。
四、中国大陆设备的历史角色与现状
在 3nm 及之前制程中，台积电确实使用过中微公司的刻蚀机和 Mattson 的热处理设备。例如，中微的 5nm 刻蚀机曾用于苹果 A16 芯片生产，但进入 2nm 时代后，这些设备因无法满足 GAA 技术的精度目前尚未被使用。台积电目前仅在成熟制程（如 28nm）中保留部分中国设备。
五、间接依赖的可能性分析
尽管直接设备已全面替换，但需注意：
材料层面：台积电仍在审查源自中国的化学品和特种气体，但尚未完全切断供应。
技术授权：部分设备的核心专利可能涉及中国企业（如中微的双工作台刻蚀技术），但台积电或可通过交叉授权协议规避而直接使用。
结论
台积电 2nm 工艺在设备层面已完全排除中国大陆制造的半导体设备股票配资系统，这是技术迭代与地缘政治双重作用的结果。未来随着美国《中国设备法案》的落地，这一趋势将进一步强化。对于中国大陆半导体设备厂商而言，突破 2nm 设备技术壁垒，将是打破国际垄断的关键。
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